FS50R07N2E4BOSA1

FS50R07N2E4BOSA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - igbts - მოდულები

აღწერა

IGBT MODULE 650V 70A 190W

სპეციფიკაციები

  • სერია
    -
  • პაკეტი
    Tray
  • ნაწილის სტატუსი
    Obsolete
  • igbt ტიპის
    -
  • კონფიგურაცია
    Full Bridge Inverter
  • ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
    650 V
  • დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
    70 A
  • სიმძლავრე - მაქს
    190 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    1.95V @ 15V, 50A
  • დენი - კოლექტორის გათიშვა (მაქს.)
    1 mA
  • შეყვანის ტევადობა (cies) @ vce
    3.1 nF @ 25 V
  • შეყვანა
    Standard
  • ntc თერმისტორი
    Yes
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -40°C ~ 125°C
  • სამონტაჟო ტიპი
    Chassis Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    Module
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    Module

FS50R07N2E4BOSA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 6610
რაოდენობა:
სამიზნე ფასი:
სულ:0

Მონაცემთა ფურცელი