FP100R07N3E4B11BOSA1

FP100R07N3E4B11BOSA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - igbts - მოდულები

აღწერა

IGBT MOD 650V 100A 335W

სპეციფიკაციები

  • სერია
    -
  • პაკეტი
    Bulk
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • igbt ტიპის
    Trench Field Stop
  • კონფიგურაცია
    Three Phase Inverter
  • ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
    650 V
  • დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
    100 A
  • სიმძლავრე - მაქს
    335 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    1.95V @ 15V, 100A
  • დენი - კოლექტორის გათიშვა (მაქს.)
    1 mA
  • შეყვანის ტევადობა (cies) @ vce
    6.2 nF @ 25 V
  • შეყვანა
    Standard
  • ntc თერმისტორი
    Yes
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -40°C ~ 150°C
  • სამონტაჟო ტიპი
    Chassis Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    Module
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    Module

FP100R07N3E4B11BOSA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 1216
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
150.88500
სამიზნე ფასი:
სულ:150.88500

Მონაცემთა ფურცელი