FF200R12KT3HOSA1

FF200R12KT3HOSA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - igbts - მოდულები

აღწერა

IGBT MODULE 1200V 1050W

სპეციფიკაციები

  • სერია
    -
  • პაკეტი
    Bulk
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • igbt ტიპის
    Trench Field Stop
  • კონფიგურაცია
    2 Independent
  • ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
    1200 V
  • დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
    -
  • სიმძლავრე - მაქს
    1050 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 200A
  • დენი - კოლექტორის გათიშვა (მაქს.)
    5 mA
  • შეყვანის ტევადობა (cies) @ vce
    14 nF @ 25 V
  • შეყვანა
    Standard
  • ntc თერმისტორი
    No
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -40°C ~ 125°C
  • სამონტაჟო ტიპი
    Chassis Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    Module
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    Module

FF200R12KT3HOSA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 1333
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
125.73000
სამიზნე ფასი:
სულ:125.73000

Მონაცემთა ფურცელი