BSZ120P03NS3GATMA1

BSZ120P03NS3GATMA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON

სპეციფიკაციები

  • სერია
    OptiMOS™
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    P-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    30 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    11A (Ta), 40A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    6V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    12mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.1V @ 73µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    45 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±25V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    3360 pF @ 15 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    2.1W (Ta), 52W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PG-TSDSON-8
  • პაკეტი / ქეისი
    8-PowerTDFN

BSZ120P03NS3GATMA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 25387
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.82000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.82000

Მონაცემთა ფურცელი